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等離子清洗機在晶圓清洗中的4個應(yīng)用-深圳金徠
來源: | 作者:深圳金徠 | 發(fā)布時間: 1505天前 | 1797 次瀏覽 | 分享到:
晶圓制造工藝復(fù)雜,擁有很多工序,不同工序中使用了不同的化學(xué)材料,通常會在晶圓表面殘留化學(xué)劑、顆粒、金屬等雜質(zhì),如果不及時清洗干凈,會隨著生產(chǎn)制造逐漸累積,影響最終的質(zhì)量。在晶圓制造工藝中,一般存在五個清洗步驟,分別是顆粒去除清洗、刻蝕后清洗、預(yù)擴(kuò)散清洗、金屬離子去除清洗和薄膜去除清洗。因此,作為清洗工藝的基礎(chǔ),清洗設(shè)備成為了制程發(fā)展的關(guān)鍵。

而且等離子體清洗作為一種先進(jìn)的干式清洗技術(shù),具有綠色環(huán)保等特點,隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,等離子清洗機也在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用越來越多。
等離子清洗機也在半導(dǎo)體行業(yè)的4個應(yīng)用

  1、顆粒
  顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這類污染物通常主要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在圓片表面,影響器件光刻工序的幾何圖形的形成及電學(xué)參數(shù)。這類污染物的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對顆粒進(jìn)行底切,逐漸減小其與圓片表面的接觸面積,最終將其去除。
  2、有機物
  有機物雜質(zhì)的來源比較廣泛,如人的皮膚油脂、細(xì)菌、機械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類污染物通常在圓片表面形成有機物薄膜阻止清洗液到達(dá)圓片表面,導(dǎo)致圓片表面清洗不徹底,使得金屬雜質(zhì)等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。這類污染物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行。

  3、金屬
  半導(dǎo)體工藝中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等,這些雜質(zhì)的來源主要有:各種器皿、管道、化學(xué)試劑,以及半導(dǎo)體圓片加工過程中,在形成金屬互連的同時,也產(chǎn)生了各種金屬污染。

  4、氧化物
  半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會妨礙半導(dǎo)體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。

隨著集成電路先進(jìn)制程工藝的進(jìn)步,清洗設(shè)備的數(shù)量和使用頻率逐漸上升,清洗步驟的效率嚴(yán)重影響了晶圓生產(chǎn)良率,在整個生產(chǎn)過程中占比約33%,等離子清洗設(shè)備成為了晶圓處理設(shè)備中重要的一環(huán)。

上述所講解的就是等離子清洗機在晶圓清洗中的4個應(yīng)用,
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