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微電子封裝過程中產(chǎn)生的沾污嚴(yán)重影響了電子元器件的可靠性和使用壽命。研究表明，微波等離子清洗能有效增強(qiáng)基板的浸潤(rùn)性，降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率，同時(shí)也能清除元件表面的氧化物薄膜和有機(jī)物沾污，經(jīng)過等離子清洗，其鍵合焊接強(qiáng)度和合金熔封密封性都得到提高。

封裝的質(zhì)量直接影響到電子元器件的可靠性和使用壽命。在微電子封裝的生產(chǎn)過程中，由于接觸、溶劑揮發(fā)、自然氧化等都可能會(huì)造成芯片、鍵合指或外殼焊環(huán)表面形成各種沾污。這些沾污包括環(huán)氧樹脂溢出物、有機(jī)溶劑殘留、焊料、金屬離子、材料的氧化層等，它們都會(huì)明顯影響微電子器件在生產(chǎn)過程中的相關(guān)工藝質(zhì)量，從而降低電子元器件的可靠性和產(chǎn)品合格率。因此，為保證電子元器件的產(chǎn)品合格率和質(zhì)量可靠性，必須在不破壞芯片、粘接材料和外殼的表面特性、熱學(xué)特性以及電學(xué)特性的前提下，去除這些有害沾污物。

上述反應(yīng)式表示氧氣在微波高能電場(chǎng)作用下，初步生成O2陽(yáng)離子和高速運(yùn)動(dòng)的自由電子；氧氣在激發(fā)態(tài)的自由電子的轟擊作用下變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)，生成了自由電子的過程；激發(fā)態(tài)的氧氣分子在高速運(yùn)動(dòng)的自由電子作用下生成大量的氧自由基、氧正離子和激發(fā)態(tài)的自由電子。

用氧氣等離子清洗，其中氧氣主要與污染物發(fā)生氧化反應(yīng)，特別是對(duì)有機(jī)沾污物清洗效果尤為明顯，清洗過程反應(yīng)如下：

式(4)表明，處于激發(fā)態(tài)的氧氣分子與有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，生成CO2和水蒸氣，對(duì)有機(jī)物溶劑沾污比較有效，具有清洗效率高、可選擇性好等優(yōu)點(diǎn)。

但是其比較明顯的缺點(diǎn)是容易將待清洗物的金屬表面或粘接材料表面氧化，因此在實(shí)際生產(chǎn)工藝中，常用氫等離子體將待清洗物進(jìn)行還原清洗，去除金屬表面氧化層，清潔金屬表面。為了達(dá)到更好的效果，可在氫氣中加入一定量的惰性氣體氮?dú)?，將化學(xué)反應(yīng)和物理反應(yīng)相結(jié)合進(jìn)行清洗。其過程反應(yīng)如下：

式(5)表明，激發(fā)態(tài)的氫氣與氧化物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將氧化物還原為單質(zhì)和水蒸氣；氮?dú)獾入x子體經(jīng)過物理碰撞，與H2清洗起到協(xié)同的作用。通過兩種氣體的清洗能有效地將待清洗物表面的氧化物去除。

微波等離子在封裝工藝中的應(yīng)用

等離子體清洗在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。根據(jù)材料表面氧化、助焊劑殘留、樹脂殘跡、有機(jī)物等不同沾污物的性質(zhì)，選擇相適應(yīng)的氣體，清除掉這些污染物，從而顯著地改善封裝可制造性、可靠性及提高成品率，表1是等離子體清洗工藝的應(yīng)用。

采用微波等離子清洗的實(shí)用案例。

芯片共晶前基板清洗

由于基板材料的表面存在親水性和疏水性的特性，親水性特性可提供良好的接觸表面，共晶焊料和環(huán)氧樹脂材料在其表面的流動(dòng)性好、浸潤(rùn)性佳，可有效防止或減少焊接空洞的產(chǎn)生，保證高可靠的粘接和熱傳導(dǎo)能力。

微波等離子清洗能改善基板材料表面的親水性，增強(qiáng)潤(rùn)濕性能。圖1是微波等離子清洗前后的滴水試驗(yàn)比較，清洗后水滴在基板表面迅速擴(kuò)散，接觸角變小，潤(rùn)濕范圍明顯變大。

圖2是芯片共晶焊接采用微波等離子清洗基板的實(shí)例。由于芯片面積較大(10mmX10mm)，對(duì)材料的潔凈、潤(rùn)濕性要求更高，焊接面孔隙控制要求小于5％，否則極易因孔隙的應(yīng)力過大導(dǎo)致芯片碎裂或裂紋而使器件失效?；宀磺逑粗苯庸簿酒瑇射線檢查焊接面孔隙多且個(gè)別孔隙尺寸大，如圖2(a)所示；基板采用微波等離子清洗后，x射線檢查芯片焊接Ifd4L隙少而小，如圖2(b)所示。實(shí)驗(yàn)表明，經(jīng)微波等離(-ifi洗基板后，共晶焊料流淌性好、潤(rùn)濕性強(qiáng)，焊接面孔隙率降低。

銀漿有機(jī)物沾污的清洗

采用銀漿粘接芯片工藝，由于銀漿材料的基體樹脂及材料中或多或少存在著有機(jī)溶劑及其他介質(zhì)，往銀漿分配后由于基板表面的親水性，樹脂擴(kuò)散造成引線指區(qū)域沾污，或在固化過程中有機(jī)溶劑揮發(fā)，部分揮發(fā)物將沉積于電路表面，造成芯片、鍵合指或焊環(huán)表面的微量沾污。為去除有機(jī)溶劑的沾污，需任裝片同化后、引線鍵合前采用微波等離子清洗。

圖3(a)所示為導(dǎo)電膠粘接芯片、電路固化后有機(jī)溶劑擴(kuò)散沾污鍵合指現(xiàn)象。為提高鍵合焊接的可靠性，采用O2等離體清洗沾污的有機(jī)溶劑。圖3(b)所示為O2等離體微波清洗后的電路照片，由圖中可知，微波等離子清洗之后，外殼引線指上沾污的溶劑已經(jīng)去除，其顏色也恢復(fù)正常。

鍵合前清洗優(yōu)化引線鍵合

為了研究等離子清洗對(duì)鍵合引線和鍵合指焊接強(qiáng)度的影響，取一只貼片后的電路，先用O2等離子清洗10min后再用N2/H2清洗10min，然后進(jìn)行引線鍵合，之后做球形焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度測(cè)試。圖5N示為用微波等離子清洗和未清洗的電路的引線鍵合強(qiáng)度對(duì)比圖。

由圖5可以看出，用微波等離子清洗過的電路的鍵合引線焊接強(qiáng)度好于未清洗的電路。這主要是因?yàn)榍逑茨軌蚯宄I合指鍍金層表面的微小污物，減小鍍金層表面浸潤(rùn)角，有效改善焊接面浸潤(rùn)性，增強(qiáng)焊接材料的互融，從而有效地增強(qiáng)引線焊接強(qiáng)度。

圖6(a)所示為電阻貼片固化后表面電鍍金屬化層發(fā)紅變色，導(dǎo)致引線鍵合可焊性差。經(jīng)過O2等離子和N2/H2，等離子清洗后發(fā)紅現(xiàn)象去除，恢復(fù)正常顏色，如圖6(b)所示，滿足了鍵合工藝要求。

封帽前清洗優(yōu)化焊接面蓋板封帽作為電路陶瓷封裝工藝中的后道關(guān)鍵工序，其密封性以及蓋板和焊環(huán)的焊接強(qiáng)度直接影響電路的可靠性和使用壽命。取兩只焊環(huán)表面有微量沽污的電路，一只用N2/H2，等離子體清洗20min，另一只不作清洗，在同樣的工藝條件下進(jìn)行合金封帽，最后用x射線檢測(cè)焊接面焊接情況。圖7所示為封帽前后的圖片和x射線圖像。

由圖7中可以看出，焊環(huán)有同樣輕微沾污的兩只電路，經(jīng)過清洗封帽的密封面的孔隙率要比未清洗的要好。

圖8是焊環(huán)表面斑點(diǎn)狀的有機(jī)物沽污，采用O2等離子體可清除掉，提高了密封焊接面的有效焊接面，減少孔隙的產(chǎn)生。

在陶瓷外殼封裝工藝過程中，合金焊料和膠在高溫條件下固化后，部分外殼鍍金層質(zhì)量存在不良，經(jīng)高溫后金層表面出現(xiàn)氧化變色，焊環(huán)、鍵合指或電鍍金PAD表面氧化，導(dǎo)致潤(rùn)濕性差，影響后續(xù)的焊接可靠性。圖9是經(jīng)高溫后焊環(huán)表面氧化，采用N2/H2，等離子清洗20min后，有效去除了氧化物，密封焊接后X射線檢測(cè)焊接面潤(rùn)濕完好，無孔隙產(chǎn)生。

FC焊接前和下填充前的清洗

在芯片倒裝前，對(duì)芯片和基板進(jìn)行微波等離子清洗，清除掉金屬表面微量氧化物和有機(jī)沾污，提高材料表面活性再進(jìn)行倒裝焊，有效地防止或減少焊接面孔隙，提高焊接強(qiáng)度。倒裝焊接時(shí)應(yīng)用到助焊劑，焊接后需采用清洗劑來清洗助焊劑。清洗后會(huì)有微量有機(jī)物殘留，在下填充前采用O2和N2/H2，等離子體清洗，去除有機(jī)溶劑殘留，可增加下填充料的流淌性，減小填充料孔隙、分層，提高產(chǎn)品可靠性。

結(jié)論：